三星首次公布1.4nm工艺制程：芯片2027年投产

尽管英伟达首席执行官黄仁勋悲观，摩尔定律已死，但对于TSMC、三星和英特尔来说，他们在纳米尺度上芯片小型化的步伐并没有停止。

近日，三星在修订路线图中首次公布了1.4nm工艺节点，计划在2027年投产。

与此同时，三星也决定在2025年投产2nm工艺，与TSMC大致同步。

事实上，三星此前已经宣布将开始生产3nm GAA晶体管结构的芯片，虽然外界质疑第一批产品只是被矿机厂商当做ldquo小白鼠rdquo初尝。

至少与英特尔相比，三星并没有提前，后者的18A工艺已经提前到2024年底投产。

在其他工艺方面，三星接下来想将3nm扩展到高性能计算和移动芯片，为高性能计算和汽车芯片开发特殊的4nm工艺。

此外，还有用于射频器件的5nm和8nm工艺，用于嵌入式非易失性存储器的8nm、14nm和28nm工艺等。

据三星称，他们希望到2027年芯片产能增加两倍。

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